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中子整形体

主要包括慢化器、反射体、准直器、热中子吸收层和γ屏蔽层等，中子源产生的快中子束流慢化至超热中子能区 (0.5eV < E < 10 keV),并尽可能减弱快中子、热中子和γ射线的成分,同时保证中子的方向性。

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